LEDinside: Micro LED关键技术发展方向分析评论-转移技术篇

集邦咨询LED研究中心(LEDinside)最新报告1Q17 Micro LED次世代显示技术市场会员报告表示,Micro LED关键技术发展方向涵盖四大面向,包含磊晶与芯片技术、转移技术、键结技术(Bonding)、彩色化方案等。

转移技术

薄膜转移的核心技术在于如何大量的抓取微米等级的薄膜磊晶,现阶段的抓取方式大致上可以区分为以物理特性去做抓取方式,或是以化学材料去做抓取。以物理性的抓取为例,LuxVue采取透过静电力吸附微小组件的方式。而化学性的抓取以X-Celeprint为代表,利用Elastomer Stamp为介质,并且利用凡德瓦力来做抓取。除此之外,还有许多厂商各自开发许多种抓取方式。

薄膜转移的另一项核心技术在于如何去选择想要抓取的微米等级的薄膜磊晶,例如多数采用抓取力量的大小来控制想要选取的目标,例如前述提到的透过静电力,或是凡德瓦力,并针对想要特定抓取的目标施予不同程度的能量来做选择。除此之外,SONY也利用雷射烧灼的方式,来选取特定的目标目标。

最后,一般用于封装前将LED芯片内部电路用金线与基板做连接与电路导通。但是由于Micro LED的芯片过于微小,已经没有办法用ㄧ般的金属打线方式来与基板结合,因此需要用其他的方式来与基板做集合。因此未来的技术发展重点在于拿何种材料来进行接合与转移。(文:Roger, Skavy, Joanne, Joey / LEDinside)

 

1Q17 Micro LED 次世代显示技术市场- 纲要

Micro LED 显示器究竟是何方神圣?

♦ 何谓Micro LED 显示器
♦  Micro LED Display 生产流程图
♦  LED 显示应用代表-背光与像素光
♦  当LED大于像素-传统背光
♦  像素大于LED-Micro LED
♦  高密度电路与高密度光源的结合
♦  未来的显示技术将会进入自发光的时代
♦  LCD v.s. OLED v.s. Micro LED 分析
♦  Micro LED打开显示技术的疆界

Micro LED 关键技术探讨

♦  Micro LED 关键技术发展方向
♦  磊晶与芯片技术
♦  转移技术
♦  转移技术- Pick Up 拾取
♦  转移技术- Selectivity 选择
♦  转移技术- Placement 放置
♦  彩色化方案

Micro LED 价值链与转移厂商现况分析

♦  Micro LED 价值链- Micro LED / QD 荧光粉 / 转移厂商 / 面板 / 驱动IC
♦  Micro LED供应链相关企业与主要专利布局重点
♦  专利分类项目定义
♦  LuxVue- 静电吸附转移技术,仍未见是完美解决方案
♦  LuxVue- Micro LED 新专利,加强微型装置数组稳定度
♦  X-Celeprin- 以转移为核心技术,研发显示技术为辅
♦  X-Celeprint- μTP转移技术仍有许多问题需逐一克服
♦  X-Celeprint- 主动 v.s. 被动寻址化驱动技术产品规划
♦  Sony- 长期布局Micro LED 技术
♦  Sony- 透过雷射烧灼(Laser Ablation)技术,来选择特定的器件完成转移
♦  ITRI 工研院- 积极发展转移技术采用主动寻址化驱动技术
♦  ITRI 工研院- 透过Pick & Placing技术,可以抓取1 µm ~100 µm的微电子组件
♦  PlayNitride 镎创- 专利于PixeLED 与芯片转移技术
♦  PlayNitride 镎创- 专长于LED芯片与转移技术
♦  Mikro Mesa- 芯片最小尺寸可达到3微米,采用垂直LED芯片结构
♦  Mikro Mesa- 薄膜转移专利布局
♦  Ostendo Technology Inc. USA- 量子光子成像 (Qantum Photonic Imager) 全息显示技术
♦  Ostendo Technology Inc. USA- QPI专利在单个LED磊晶上实现全彩LED
♦  专利含量整理分析- Transfer & Bonding
♦  专利含量整理分析- Micro LED & Substrate

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